斯达新产品推荐-P6 SiC模块

2024.04.24

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P6 SiC MOSFET功率模块,电压等级涵盖1200V和750V两种类型,1200V模块RDS(on)包含有2.9mΩ,2.2mΩ,750V模块RDS(on)包含有1.7mΩ,1.3mΩ;内部采用多SiC芯片并联设计,通过串联门极电阻保证芯片均流;模块采用低电感设计避免了振荡,1200V输出电流为480-640A,750V输出电流为485-630A;SiC芯片采用双面银浆烧结和铜线键合工艺,Si3N4的AMB散热绝缘基板和PINFIN散热基板保证良好的散热能力;模块通过175℃ AQG-324可靠性认证,可长期工作在175℃结温环境。

P6-SiC.png


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